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AX3071+TDM3426 5V/4.8A车充方案

AX3071+TDM3426 5V/4.8A车充方案

简要描述:

AX3071+TDM3426 5V/4.8A车充方案BOM表 美国泰德TECHCODE原装正品TD8208、TD8228、TDM3424、TDM3426、TDM3428,大量公司现货,假一赔十。

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N沟道增强型MOSFET TDM3426  AX3071+TDM3426 5V/4.8A车充方案BOM表

说明
该TDM3426采用先进的沟道技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。此
设备是适合用作负载开关或以PWM
应用。
一般功能   AX3071+TDM3426 5V/4.8A车充方案BOM表
RDS(ON)<9.8mΩ@ VGS=4.5V
RDS(ON)<7.2mΩ@ VGS=10V
 高功率和电流移交能力
 获取无铅产品
 表面贴装封装
应用
 PWM应用
 负荷开关   BOM表
 电源管理
绝对zui大额定值(TA =25℃除非另有说明)
参数符号限值单位
漏 - 源电压VDS30 V
栅源电压VGS+ 20V
漏电流@连拍(注2)
ID(25℃)15 A
ID(100℃),12位A
漏电流@电流脉冲(注1)IDM60 A
zui大功率耗散(TA=25℃),PD为3.5W
工作结存储温度范围TJ,TSTG-55到150℃
热特性
热阻,结到环境(注2)RθJA35℃/ W   BOM表

N沟道增强型MOSFET TDM3428

说明该TDM3428采用先进的沟道技术提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。此设备是适合用作负载开关或以PWM应用。一般功能 RDS(ON) RDS(ON) 高功率和电流移交能力 获取无铅产品 表面贴装封装应用 PWM应用 负荷开关 电源管理绝对zui大额定值(TA =25℃除非另有说明)参数符号限值单位漏 - 源电压VDS30 V栅源电压VGS+ 20V漏电流@连拍(注1)ID(25℃)50 AID(100℃)40 A漏电流@电流脉冲(注1)IDM125一zui大功率耗散(TA = 25℃)PD50瓦工作结存储温度范围TJ,TSTG-55到150℃热特性热阻,结到环境(注2)RθJA20℃/ W

美国泰德TECHCODE原装正品TD8208、TD8228、TDM3424、TDM3426、TDM3428,大量公司现货,假一赔十。

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