AX3071+TDM3426 5V/4.8A车充方案

N沟道增强型MOSFET TDM3426  AX3071+TDM3426 5V/4.8A车充方案BOM表

说明
该TDM3426采用先进的沟道技术
提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。此
设备是适合用作负载开关或以PWM
应用。
一般功能   AX3071+TDM3426 5V/4.8A车充方案BOM表
RDS（ON）<9.8mΩ@ VGS=4.5V
RDS（ON）<7.2mΩ@ VGS=10V
 高功率和电流移交能力
 获取无铅产品
 表面贴装封装
应用
 PWM应用
 负荷开关   BOM表
 电源管理
绝对zui大额定值（TA =25℃除非另有说明）
参数符号限值单位
漏 - 源电压VDS30 V
栅源电压VGS+ 20V
漏电流@连拍（注2）
ID（25℃）15 A
ID（100℃），12位A
漏电流@电流脉冲（注1）IDM60 A
zui大功率耗散（TA=25℃），PD为3.5W
工作结存储温度范围TJ，TSTG-55到150℃
热特性
热阻，结到环境（注2）RθJA35℃/ W   BOM表

N沟道增强型MOSFET TDM3428

说明该TDM3428采用先进的沟道技术提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。此设备是适合用作负载开关或以PWM应用。一般功能 RDS（ON） RDS（ON） 高功率和电流移交能力 获取无铅产品 表面贴装封装应用 PWM应用 负荷开关 电源管理绝对zui大额定值（TA =25℃除非另有说明）参数符号限值单位漏 - 源电压VDS30 V栅源电压VGS+ 20V漏电流@连拍（注1）ID（25℃）50 AID（100℃）40 A漏电流@电流脉冲（注1）IDM125一zui大功率耗散（TA = 25℃）PD50瓦工作结存储温度范围TJ，TSTG-55到150℃热特性热阻，结到环境（注2）RθJA20℃/ W

美国泰德TECHCODE原装正品TD8208、TD8228、TDM3424、TDM3426、TDM3428，大量公司现货，假一赔十。