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VS4618A 低压MOS管DFN3*3规格书

VS4618A 低压MOS管DFN3*3规格书

简要描述:

VS4618A 低压MOS管DFN3*3规格书
VS4618A,RUN4040,RUN4060,TDM3307,TDM3424,TDM3426,AMS4004,AM4006 低压mos供应,应用于PD车充方案,旅充PD方案,小储能电源供电

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 VS4618A 低压MOS管DFN3*3规格书

本公司从事电源IC封装生产10年,专业车充IC ,旅充IC,USB智能识别IC,快充IC,MUC单片机程序开发!NCE4012s采用先进的沟槽技术和设计,提供优良的RDS(ON)与低栅极电荷。它
可用于各种各样的应用。TD3424耐高压mos应用于车充

新洁能贴片mos管车充IC一般特征
●VDS = 40V,ID = 12a
RDS(ON)< 12m�6�8@ VGS = 10v(典型值。8.4米�6�8)
RDS(ON)< 18m�6�8@ VGS = 4.5v(典型值。12.3米�6�8)
●高密度电池设计超低导通电阻
●完全表征雪崩电压和电流
●稳定性好,均匀度高,TD3424耐高压mos应用于车充
●优良的封装散热性好
高ESD能力●特殊工艺技术
新洁能贴片mos管车充IC应用
●负载开关
●硬开关和高频电路
●不间断电源

具体规格如下:

N沟道增强型MOSFET TDM3424
说明
该TDM3424采用先进的沟道技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这
设备是适合用作负载开关或以PWM
应用。
一般功能
RDS(ON)<32mΩ@ VGS=4.5V
RDS(ON)<23mΩ@ VGS=10V
高功率和电流移交能力
无铅产品被收购
表面贴装封装
应用
PWM应用
负荷开关
电源管理

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VS4618A,RUN4040,RUN4060,TDM3307,TDM3424,TDM3426,AMS4004,AM4006 低压mos供应,应用于PD车充方案,旅充PD方案,小储能电源供电

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