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供应美国泰德TECHCODE N-MOS管TDM3482

供应美国泰德TECHCODE N-MOS管TDM3482

简要描述:

供应美国泰德TECHCODE原装正品TD3482 MOS管,封装是PPAK-3*3-8,效率高,封装小
供应美国泰德TECHCODE N-MOS管TDM3482

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批量供应美国泰德TECHCODE原装正品TD3482 MOS管,封装是PPAK-3*3-8,效率高,封装小。生产日期:2019年,真诚的希望我司的产品和服务能得到您的信任和满意!    供应美国泰德TECHCODE N-MOS管TDM3482

具体规格如下:

N沟道增强型MOSFET TDM3482
描述
该TDM3482采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这个
设备是适于用作负荷开关或以PWM
应用程序。
一般特征
RDS(ON)<13.5mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<9.5mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
无铅产品可用
表面贴装封装
应用
PWM应用
负荷开关
电源管理

绝对最大额定值(TA = 25℃除非另有说明)
参数符号限值单位
漏 - 源电压VDS 40 V
栅源电压VGS + 20V
漏电流@连续
ID(TA = 25℃)一12
ID(TA = 70℃)9.6
漏电流@电流脉冲(注1)IDM(TC = 25℃)60 A
漏电流@连续
ID(TC = 25℃)一43
ID(TC = 100℃)一28
最大功率耗散(TA = 25℃)PD 2.08W¯¯
最大工作结温TJ 150℃
存储温度范围-55 TSTG 150℃
热特性
热阻,结到环境(注1)RθJA60℃/ W

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