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TDM3436 DFN5*6 低压MOS

TDM3436 DFN5*6 低压MOS

简要描述:

N沟道增强型MOSFET TDM3436
一般特征
RDS(ON)<4.1mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<3.1mΩ@ VGS = 10V
TDM3436 DFN5*6 低压MOS

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N沟道增强型MOSFET TDM3436
描述      N沟道增强型MOSFET TDM3436
TDM3436采用先进的沟槽技术
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这个
器件适合用作负载开关或PWM
应用。
一般特征    TDM3436 DFN5*6 低压MOS
RDS(ON)<4.1mΩ@ VGS = 4.5V
RDS(ON)<3.1mΩ@ VGS = 10V
高功率和电流处理能力
提供无铅产品
表面贴装封装
应用
PWM应用
负载开关

电源管理

 TDM3436 DFN5*6 低压MOS

 

泰德半导体MOS管系列  MOS:TDM3482 TDM3430 TDM3432 TDM3434 TDM3436 TDM3496 TDM3646 TDM3660 TDM3662 TDM31010 TDM31022 TDM31036 TDM31038 TDM31034 TDM31024 TMD31040 TDM31526 TDM2313 TDM32020 TDM32022 TDM3205 TDM3476 TDM3478 TDM3408 TDM3412 TDM3450 TDM3452 TDM3442 TDM3492 TDM3458IC:TD1465 TD1482 TD1483 TD1484 TD6810 TD6811 TD6814 TD6817 TD6821 TD1519 TD1529 TD2776 TD2778 TD2786

N沟道增强型MOSFET TDM3436

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